| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 1.4 A |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 封装类型 | SOT-23 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 1.5V |
| 最小栅阈值电压 | 0.8V |
| 最大功率耗散 | 200 mW |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 高度 | 0.9mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 长度 | 2.9mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 典型功率增益 | 27 dB |
| 宽度 | 1.3mm |
含税单价￥4.0200
品 牌Infineon
| 参数 | 英飞凌 Infineon MOSFET 四极管, N沟道, Si, Vds=30 V, 1.4 A, 3引脚 SOT-23封装 |
| 标准包装 | 每包:100个 |
| 数据表 | BF999E6327HTSA1 PDF资料 |
| 数量 | +- 库存：500个 交期6-9工作日 |
| 递增 | 起订100 递增倍数100 |
￥107.5500/件
￥4.3900/件
￥40.8500/件
￥7.6600/件
￥3.2100/件
￥2.3700/件
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 1.4 A |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 封装类型 | SOT-23 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 1.5V |
| 最小栅阈值电压 | 0.8V |
| 最大功率耗散 | 200 mW |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 高度 | 0.9mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 长度 | 2.9mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 典型功率增益 | 27 dB |
| 宽度 | 1.3mm |
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