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SUD50P04-08-GE3

供应商型号:121-9658

含税单价17.2700

品      牌Vishay

参数 Vishay MOSFET, P沟道, Si, Vds=40 V, 50 A, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
标准包装 每包:5个
数据表 SUD50P04-08-GE3 PDF资料

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阶梯价格(人民币含税)
  • 5-500件¥17.27
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  • 1000件以上¥16.24
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属性 数值
通道类型 P
最大连续漏极电流 50 A
最大漏源电压 40 V
封装类型 DPAK (TO-252)
安装类型 表面贴装
引脚数目 3
最大漏源电阻值 10 mΩ
通道模式 增强
最大栅阈值电压 2.5V
最小栅阈值电压 1V
最大功率耗散 73.5 W
晶体管配置
最大栅源电压 -20 V、+20 V
每片芯片元件数目 1
宽度 6.22mm
高度 2.38mm
最低工作温度 -55 °C
典型栅极电荷@Vgs 106 nC @ 10 V
晶体管材料 Si
最高工作温度 +150 °C
正向二极管电压 1.5V
长度 6.73mm
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