含税单价￥229.5200
品 牌IXYS
| 参数 | IXYS MOSFET, HiperFET, Polar3 系列, N沟道, Si, Vds=300 V, 120 A, 3引脚 PLUS247封装 |
| 数据表 | IXFX120N30P3 PDF资料 |
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￥310.5100/件
￥2.3600/件
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￥678.4200/件
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 120 A |
| 最大漏源电压 | 300 V |
| 封装类型 | PLUS247 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 27 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 5V |
| 最大功率耗散 | 1.13 kW |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 系列 | HiperFET, Polar3 |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 晶体管材料 | Si |
| 长度 | 16.13mm |
| 高度 | 21.34mm |
| 宽度 | 5.21mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 典型栅极电荷@Vgs | 150 nC @ 10 V |
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