| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大连续集电极电流 | 500 mA |
| 最大集电极-发射极电压 | 50 V |
| 封装类型 | SOIC |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 16 |
| 配置 | 单 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最小直流电流增益 | 1000 |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 1.1 V 直流 |
| 最大集电极-基极截止电流 | 50µA |
| 基电流 | 25mA |
| 最高工作温度 | +85°C |
| 尺寸 | 10 x 4 x 1.5mm |
| 最低工作温度 | -20 °C |
| 宽度 | 4mm |
| 长度 | 10mm |
| 高度 | 1.5mm |
含税单价￥3.0900
品 牌ON Semiconductor
| 参数 | ON Semiconductor 达林顿管, NPN, 最大连续集电极电流500 mA, SOIC封装, 表面贴装, 16引脚, 每片1芯片, Vce=50 V |
| 标准包装 | 在毎卷：2500 |
| 数据表 | ULN2003ADR2G PDF资料 |
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| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大连续集电极电流 | 500 mA |
| 最大集电极-发射极电压 | 50 V |
| 封装类型 | SOIC |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 16 |
| 配置 | 单 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最小直流电流增益 | 1000 |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 1.1 V 直流 |
| 最大集电极-基极截止电流 | 50µA |
| 基电流 | 25mA |
| 最高工作温度 | +85°C |
| 尺寸 | 10 x 4 x 1.5mm |
| 最低工作温度 | -20 °C |
| 宽度 | 4mm |
| 长度 | 10mm |
| 高度 | 1.5mm |
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