含税单价￥15.4100
品 牌Infineon
| 参数 | 英飞凌 Infineon MOSFET, HEXFET 系列, N沟道, Si, Vds=150 V, 23 A, 3引脚 TO-220AB封装 |
| 数据表 | IRFB23N15DPBF PDF资料 |
| 数量 | +- 库存：450个 交期6-9工作日 |
| 递增 | 起订50 递增倍数50 |
￥315.2200/件
￥191.5800/件
￥155.8400/件
￥6.1700/件
￥46.9200/件
￥4.1800/件
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 23 A |
| 最大漏源电压 | 150 V |
| 封装类型 | TO-220AB |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 90 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 5.5V |
| 最小栅阈值电压 | 3V |
| 最大功率耗散 | 136 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 高度 | 19.3mm |
| 系列 | HEXFET |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 宽度 | 4.69mm |
| 长度 | 10.54mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 37 nC @ 10 V |
| 晶体管材料 | Si |
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