| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 5 A |
| 最大漏源电压 | 40 V |
| 封装类型 | PowerSO |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 10 |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 5V |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大功率耗散 | 73 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 长度 | 9.6mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 高度 | 3.6mm |
| 宽度 | 9.5mm |
| 最高工作温度 | +165 °C |
| 典型功率增益 | 14 dB |
含税单价￥254.5900
品 牌STMicroelectronics
| 参数 | STMicroelectronics MOSFET, N沟道, Si, Vds=40 V, 5 A, 10引脚 PowerSO封装 |
| 数据表 | PD55015-E PDF资料 |
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￥315.2200/件
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| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 5 A |
| 最大漏源电压 | 40 V |
| 封装类型 | PowerSO |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 10 |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 5V |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大功率耗散 | 73 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 长度 | 9.6mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 高度 | 3.6mm |
| 宽度 | 9.5mm |
| 最高工作温度 | +165 °C |
| 典型功率增益 | 14 dB |
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