| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 20 A |
| 最大漏源电压 | 500 V |
| 封装类型 | TO-247AC |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 270 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最小栅阈值电压 | 3V |
| 最大功率耗散 | 250 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 长度 | 15.87mm |
| 宽度 | 5.31mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 65 nC @ 10 V |
| 高度 | 20.82mm |
| 晶体管材料 | Si |
含税单价￥35.0500
品 牌Vishay
| 参数 | Vishay MOSFET, N沟道, Si, Vds=500 V, 20 A, 3引脚 TO-247AC封装 |
| 标准包装 | 每包:5个 |
| 数据表 | SIHG20N50C-E3 PDF资料 |
| 数量 | +- 库存：145个 交期6-9工作日 |
| 递增 | 起订5 递增倍数5 |
￥505.3000/件
￥505.5500/件
￥510.4300/件
￥8.3700/件
￥1065.5200/件
￥97.0300/件
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 20 A |
| 最大漏源电压 | 500 V |
| 封装类型 | TO-247AC |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 270 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最小栅阈值电压 | 3V |
| 最大功率耗散 | 250 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 长度 | 15.87mm |
| 宽度 | 5.31mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 65 nC @ 10 V |
| 高度 | 20.82mm |
| 晶体管材料 | Si |
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