| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | P |
| 最大连续漏极电流 | 9.4 A |
| 最大漏源电压 | 20 V |
| 封装类型 | U-DFN2020 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 6 |
| 最大漏源电阻值 | 120 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 1V |
| 最大功率耗散 | 3.8 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -8 V、+8 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 长度 | 2mm |
| 宽度 | 2mm |
| 高度 | 0.5mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 典型栅极电荷@Vgs | 29 nC @ 4.5 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
含税单价￥2.1100
品 牌ON Semiconductor
| 参数 | ON Semiconductor MOSFET, P沟道, Si, Vds=20 V, 9.4 A, 6引脚 U-DFN2020封装 |
| 标准包装 | 在毎卷：3000 |
| 数据表 | NTLUS3A40PZTAG PDF资料 |
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￥13.4100/件
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￥4.8200/件
￥0.5200/件
￥3.1100/件
￥182.8500/件
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | P |
| 最大连续漏极电流 | 9.4 A |
| 最大漏源电压 | 20 V |
| 封装类型 | U-DFN2020 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 6 |
| 最大漏源电阻值 | 120 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 1V |
| 最大功率耗散 | 3.8 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -8 V、+8 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 长度 | 2mm |
| 宽度 | 2mm |
| 高度 | 0.5mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 典型栅极电荷@Vgs | 29 nC @ 4.5 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
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