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STD7NM60N

供应商型号:103-1988

含税单价12.4400

品      牌STMicroelectronics

参数 STMicroelectronics MOSFET, MDmesh 系列, N沟道, Si, Vds=600 V, 5 A, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
标准包装 在毎卷:2500
数据表 STD7NM60N PDF资料

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阶梯价格(人民币含税)
  • 2500-5000件¥12.44
  • 5000-10000件¥12.07
  • 10000件以上¥11.71
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属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 5 A
最大漏源电压 600 V
封装类型 DPAK (TO-252)
安装类型 表面贴装
引脚数目 3
最大漏源电阻值 900 mΩ
通道模式 增强
最大栅阈值电压 4V
最小栅阈值电压 2V
最大功率耗散 45 W
晶体管配置
最大栅源电压 -25 V、+25 V
每片芯片元件数目 1
系列 MDmesh
最高工作温度 +150 °C
长度 6.6mm
典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 10 V
高度 2.4mm
宽度 6.2mm
晶体管材料 Si
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