| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 200 mA |
| 最大漏源电压 | 1500 V |
| 封装类型 | TO-220F |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 150 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4V |
| 最大功率耗散 | 20 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 长度 | 28.85mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 4.2 nC @ 10 V |
| 高度 | 4.7mm |
| 宽度 | 10.16mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 最高工作温度 | +150 °C |
含税单价￥22.4600
品 牌ON Semiconductor
| 参数 | ON Semiconductor MOSFET, N沟道, Si, Vds=1500 V, 200 mA, 3引脚 TO-220F封装 |
| 标准包装 | 每包:2个 |
| 数据表 | NDFPD1N150CG PDF资料 |
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￥2.6800/件
￥5.2300/件
￥45.0100/件
￥17.5500/件
￥3.3100/件
￥3.4000/件
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 200 mA |
| 最大漏源电压 | 1500 V |
| 封装类型 | TO-220F |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 150 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4V |
| 最大功率耗散 | 20 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 长度 | 28.85mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 4.2 nC @ 10 V |
| 高度 | 4.7mm |
| 宽度 | 10.16mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 最高工作温度 | +150 °C |
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