含税单价￥14.6000
品 牌ON Semiconductor
| 参数 | ON Semiconductor MOSFET, QFET 系列, P沟道, Si, Vds=60 V, 11.4 A, 3引脚 TO-220F封装 |
| 标准包装 | 每包:10个 |
| 数据表 | FQP11P06 PDF资料 |
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￥9196.7900/件
￥18944.2500/件
￥9.0000/件
￥307.0600/件
￥8.3300/件
￥134.8000/件
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | P |
| 最大连续漏极电流 | 11.4 A |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 封装类型 | TO-220F |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 175 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大功率耗散 | 53 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -25 V、+25 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 系列 | QFET |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 长度 | 10.1mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 13 nC @ 10 V |
| 高度 | 15.38mm |
| 宽度 | 4.7mm |
| 晶体管材料 | Si |
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