含税单价￥1.0283
品 牌ON Semiconductor
| 参数 | ON Semiconductor MOSFET, P沟道, Si, Vds=20 V, 4.2 A, 6引脚 SOT-363 (SC-88)封装 |
| 标准包装 | 在毎卷：3000 |
| 数据表 | NTJS4151PT1G PDF资料 |
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￥14.5100/件
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￥4116.9400/件
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | P |
| 最大连续漏极电流 | 4.2 A |
| 最大漏源电压 | 20 V |
| 封装类型 | SOT-363 (SC-88) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 6 |
| 最大漏源电阻值 | 205 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 1.2V |
| 最大功率耗散 | 1 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -12 V、+12 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 高度 | 1mm |
| 宽度 | 1.35mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 晶体管材料 | Si |
| 长度 | 2.2mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 10 nC @ 4.5 V |
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