属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 75 A |
最大漏源电压 | 700 V |
封装类型 | TO-247 |
安装类型 | 通孔 |
引脚数目 | 4 |
最大漏源电阻值 | 19 mΩ |
通道模式 | 增强 |
最大功率耗散 | 446 W |
晶体管配置 | 单 |
最大栅源电压 | -30 V、+30 V |
每片芯片元件数目 | 1 |
最高工作温度 | +150 °C |
典型栅极电荷@Vgs | 215 nC @ 10 V |
正向二极管电压 | 0.9V |
最低工作温度 | -55 °C |
长度 | 16.13mm |
晶体管材料 | Si |
系列 | CoolMOS C7 |
高度 | 5.21mm |
宽度 | 21.1mm |