含税单价￥37.9500
品 牌Texas Instruments
| 参数 | Texas Instruments MOSFET, NexFET 系列, N沟道, Vds=80 V, 157 A, 8引脚 VSON-CLIP封装 |
| 标准包装 | 每包:2个 |
| 数据表 | CSD19502Q5BT PDF资料 |
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￥18.3500/件
￥17.4000/件
￥5.0200/件
￥3783.0000/件
￥19.4500/件
￥5.5600/件
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 157 A |
| 最大漏源电压 | 80 V |
| 封装类型 | VSON-CLIP |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 4.8 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 3.3V |
| 最小栅阈值电压 | 2.2V |
| 最大功率耗散 | 195 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 高度 | 1.05mm |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 系列 | NexFET |
| 正向二极管电压 | 1V |
| 宽度 | 5.1mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 130 nC @ 10 V |
| 长度 | 6.1mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
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