含税单价￥15.7500
品 牌ON Semiconductor
| 参数 | ON Semiconductor MOSFET, UniFET 系列, N沟道, Si, Vds=200 V, 16 A, 3引脚 DPAK (TO-252)封装 |
| 标准包装 | 每包:10个 |
| 数据表 | FDD18N20LZ PDF资料 |
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￥20.6400/件
￥178.0300/件
￥1.1400/件
￥44.2700/件
￥1584.9200/件
￥18.7000/件
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 16 A |
| 最大漏源电压 | 200 V |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 130 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最小栅阈值电压 | 3V |
| 最大功率耗散 | 89 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 系列 | UniFET |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 宽度 | 6.22mm |
| 高度 | 2.39mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 长度 | 6.73mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 30 nC @ 10 V |
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