属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 160 A |
最大漏源电压 | 55 V |
封装类型 | TO-247 |
安装类型 | 通孔 |
引脚数目 | 3 |
最大漏源电阻值 | 5.3 mΩ |
通道模式 | 增强 |
最大功率耗散 | 310 W |
晶体管配置 | 单 |
最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
每片芯片元件数目 | 1 |
高度 | 5.31mm |
系列 | HEXFET |
宽度 | 19.71mm |
正向二极管电压 | 1.3V |
最高工作温度 | +175 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
典型栅极电荷@Vgs | 120 nC @ 10 V |
晶体管材料 | Si |
长度 | 15.29mm |