| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 50 A |
| 最大漏源电压 | 100 V |
| 封装类型 | Vsonp |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 1.51e+007 o |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 2.4V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | Si |
| 系列 | NexFET |
含税单价￥8.3700
品 牌Texas Instruments
| 参数 | Texas Instruments MOSFET, NexFET 系列, N沟道, Si, Vds=100 V, 50 A, 8引脚 vsonp封装 |
| 标准包装 | 在毎卷：2500 |
| 数据表 | CSD19534Q5A PDF资料 |
供应商现货库存不足，可定期货，请点击联系客服 |
￥13.0000/件
￥3.2000/件
￥104.4600/件
￥5.2208/件
￥23.4900/件
￥6.3600/件
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 50 A |
| 最大漏源电压 | 100 V |
| 封装类型 | Vsonp |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 1.51e+007 o |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 2.4V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | Si |
| 系列 | NexFET |
种类齐全 一站购物
正品保障 源头可溯
极速物流 在线跟踪
优质服务 省心省时
客服企业微信
400-861-9258
