含税单价￥15.5200
品 牌Vishay
| 参数 | Vishay MOSFET, N沟道, Si, Vds=200 V, 9 A, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装 |
| 标准包装 | 每包:10个 |
| 数据表 | SIHF630STRL-GE3 PDF资料 |
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￥1.4600/件
￥56.5000/件
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￥10380.9200/件
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 9 A |
| 最大漏源电压 | 200 V |
| 封装类型 | D2PAK (TO-263) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 400 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大功率耗散 | 74 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 晶体管材料 | Si |
| 宽度 | 9.65mm |
| 高度 | 4.83mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 43 nC @ 10 V |
| 长度 | 10.67mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
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