| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 350 mA |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 封装类型 | TO-92 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 4.5 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 2V |
| 最小栅阈值电压 | 0.6V |
| 最大功率耗散 | 1 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | 20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 高度 | 5.33mm |
| 宽度 | 4.06mm |
| 系列 | TN0106 |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 长度 | 5.08mm |
| 正向二极管电压 | 1.5V |
含税单价￥8.2800
品 牌Microchip
| 参数 | Microchip MOSFET, TN0106 系列, N沟道, Vds=60 V, 350 mA, 3引脚 TO-92封装 |
| 标准包装 | 以毎袋：1000 |
| 数据表 | TN0106N3-G PDF资料 |
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￥131.2500/件
￥2.1800/件
￥9.5800/件
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￥1.4200/件
￥51.0300/件
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 350 mA |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 封装类型 | TO-92 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 4.5 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 2V |
| 最小栅阈值电压 | 0.6V |
| 最大功率耗散 | 1 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | 20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 高度 | 5.33mm |
| 宽度 | 4.06mm |
| 系列 | TN0106 |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 长度 | 5.08mm |
| 正向二极管电压 | 1.5V |
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