| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 5 A |
| 最大漏源电压 | 500 V |
| 封装类型 | TO-220FP |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 790 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大功率耗散 | 20 W |
| 最大栅源电压 | -25 V、+25 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 宽度 | 4.6mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 14 nC @ 10 V |
| 长度 | 10.4mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 高度 | 16.4mm |
| 系列 | MDmesh |
| 最低工作温度 | -55 °C |
含税单价￥16.7700
品 牌STMicroelectronics
| 参数 | STMicroelectronics MOSFET 晶体管, MDmesh 系列, N沟道, Vds=500 V, 5 A, 3引脚 TO-220FP封装 |
| 标准包装 | 每包:5个 |
| 数据表 | STF8NM50N PDF资料 |
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￥1929.3200/件
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￥15.4500/件
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￥37.7800/件
￥1.1900/件
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 5 A |
| 最大漏源电压 | 500 V |
| 封装类型 | TO-220FP |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 790 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大功率耗散 | 20 W |
| 最大栅源电压 | -25 V、+25 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 宽度 | 4.6mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 14 nC @ 10 V |
| 长度 | 10.4mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 高度 | 16.4mm |
| 系列 | MDmesh |
| 最低工作温度 | -55 °C |
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