含税单价￥8.1500
品 牌Vishay
| 参数 | Vishay MOSFET, P沟道, Si, Vds=150 V, 530 mA, 3引脚 SOT-23 (TO-236)封装 |
| 标准包装 | 每包:5个 |
| 数据表 | SI2325DS-T1-E3 PDF资料 |
| 数量 | +- 库存：490个 交期6-9工作日 |
| 递增 | 起订5 递增倍数5 |
￥0.3000/件
￥6.4300/件
￥19.4600/件
￥89.9100/件
￥1.7400/件
￥10.8800/件
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | P |
| 最大连续漏极电流 | 530 mA |
| 最大漏源电压 | 150 V |
| 封装类型 | SOT-23 (TO-236) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 1.2 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最小栅阈值电压 | 2.5V |
| 最大功率耗散 | 750 mW |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 宽度 | 1.4mm |
| 长度 | 3.04mm |
| 高度 | 1.02mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 典型栅极电荷@Vgs | 7.7 nC @ 10 V |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 晶体管材料 | Si |
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