| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 15.8 A |
| 最大漏源电压 | 600 V |
| 封装类型 | TO-247 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 190 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 3.7V |
| 最大功率耗散 | 130 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | Si |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 宽度 | 5.02mm |
| 系列 | TK |
| 典型栅极电荷@Vgs | 38 nC @ 10 V |
| 高度 | 20.95mm |
| 长度 | 15.94mm |
含税单价￥20.7100
品 牌Toshiba
| 参数 | Toshiba MOSFET, TK 系列, N沟道, Si, Vds=600 V, 15.8 A, 3引脚 TO-247封装 |
| 数据表 | TK16N60W,S1VF(S PDF资料 |
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| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 15.8 A |
| 最大漏源电压 | 600 V |
| 封装类型 | TO-247 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 190 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 3.7V |
| 最大功率耗散 | 130 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | Si |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 宽度 | 5.02mm |
| 系列 | TK |
| 典型栅极电荷@Vgs | 38 nC @ 10 V |
| 高度 | 20.95mm |
| 长度 | 15.94mm |
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