| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 21 A |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 封装类型 | TO-220AB |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 55 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最小栅阈值电压 | 1V |
| 最大功率耗散 | 53 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | Si |
| 典型栅极电荷@Vgs | 9.5 nC @ 5 V |
| 系列 | QFET |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 长度 | 10.1mm |
| 宽度 | 4.7mm |
| 高度 | 9.4mm |
含税单价￥13.3000
品 牌ON Semiconductor
| 参数 | ON Semiconductor MOSFET, QFET 系列, N沟道, Si, Vds=60 V, 21 A, 3引脚 TO-220AB封装 |
| 标准包装 | 每包:5个 |
| 数据表 | FQP20N06L PDF资料 |
| 数量 | +- 库存：45个 交期6-9工作日 |
| 递增 | 起订5 递增倍数5 |
￥3.1400/件
￥28.0300/件
￥49.4000/件
￥1.5800/件
￥18.9600/件
￥68.1200/件
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 21 A |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 封装类型 | TO-220AB |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 55 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最小栅阈值电压 | 1V |
| 最大功率耗散 | 53 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | Si |
| 典型栅极电荷@Vgs | 9.5 nC @ 5 V |
| 系列 | QFET |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 长度 | 10.1mm |
| 宽度 | 4.7mm |
| 高度 | 9.4mm |
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