含税单价￥4.7800
品 牌ON Semiconductor
| 参数 | ON Semiconductor MOSFET, QFET 系列, N沟道, Si, Vds=100 V, 15.6 A, 3引脚 DPAK (TO-252)封装 |
| 标准包装 | 在毎卷：2500 |
| 数据表 | FQD19N10TM PDF资料 |
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￥22.1200/件
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￥69.5900/件
￥58.0500/件
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 15.6 A |
| 最大漏源电压 | 100 V |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 100 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大功率耗散 | 2.5 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -25 V、+25 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 高度 | 2.3mm |
| 宽度 | 6.1mm |
| 长度 | 6.6mm |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 系列 | QFET |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 晶体管材料 | Si |
| 典型栅极电荷@Vgs | 19 nC @ 10 V |
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