属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 80 A |
最大漏源电压 | 55 V |
封装类型 | I2PAK (TO-262) |
安装类型 | 通孔 |
引脚数目 | 3 |
最大漏源电阻值 | 6.6 mΩ |
通道模式 | 增强 |
最大栅阈值电压 | 4V |
最小栅阈值电压 | 2.1V |
最大功率耗散 | 250 W |
晶体管配置 | 单 |
最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
每片芯片元件数目 | 1 |
系列 | OptiMOS |
最低工作温度 | -55 °C |
最高工作温度 | +175 °C |
宽度 | 4.4mm |
晶体管材料 | Si |
典型栅极电荷@Vgs | 86 nC @ 10 V |
长度 | 10mm |
高度 | 9.25mm |