| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 100 A |
| 最大漏源电压 | 40 V |
| 封装类型 | Powerpak so - 8DC |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 0.00088 Ω 、 0.00116 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 2.3V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 系列 | TrenchFET® Gen IV |
含税单价￥19.2400
品 牌Vishay
| 参数 | Vishay MOSFET, TrenchFET® Gen IV 系列, N沟道, Vds=40 V, 100 A, 8引脚 powerpak so - 8DC封装 |
| 标准包装 | 每包:25个 |
| 数据表 | SIDR638DP-T1-RE3 PDF资料 |
| 数量 | +- 库存：50个 交期6-9工作日 |
| 递增 | 起订25 递增倍数25 |
￥9.2500/件
￥52.2900/件
￥0.4500/件
￥31.1200/件
￥32.4700/件
￥12.4000/件
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 100 A |
| 最大漏源电压 | 40 V |
| 封装类型 | Powerpak so - 8DC |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 0.00088 Ω 、 0.00116 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 2.3V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 系列 | TrenchFET® Gen IV |
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