含税单价￥18.7900
品 牌Nexperia
| 参数 | Nexperia MOSFET, N沟道, Si, Vds=40 V, 100 A, 4引脚 SOT-669封装 |
| 标准包装 | 每包:5个 |
| 数据表 | PSMN3R3-40YS,115 PDF资料 |
| 数量 | +- 库存：115个 交期6-9工作日 |
| 递增 | 起订5 递增倍数5 |
￥1.6100/件
￥2.4800/件
￥15.1400/件
￥2.6500/件
￥1.3200/件
￥52.8300/件
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 100 A |
| 最大漏源电压 | 40 V |
| 封装类型 | SOT-669 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 4 |
| 最大漏源电阻值 | 4.5mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4V |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大功率耗散 | 117 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | Si |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 典型栅极电荷@Vgs | 49 nC @ 10 V |
| 宽度 | 4.1mm |
| 高度 | 1.1mm |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 长度 | 5mm |
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