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DMN2011UTS-13

供应商型号:182-6885

含税单价2.2200

品      牌达尔

参数 达尔 MOSFET, N沟道, Vds=20 V, 17(状态)A,21(稳定)A, 8引脚 TSSOP封装
标准包装 在毎卷:2500
数据表 DMN2011UTS-13 PDF资料

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阶梯价格(人民币含税)
  • 2500-5000件¥2.22
  • 5000-10000件¥2.15
  • 10000件以上¥2.09
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属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 17(状态)A,21(稳定)A
最大漏源电压 20 V
封装类型 TSSOP
安装类型 表面贴装
引脚数目 8
最大漏源电阻值 50 mΩ
通道模式 增强
最大栅阈值电压 1V
最小栅阈值电压 0.4V
最大功率耗散 1.3 W
晶体管配置
最大栅源电压 ±12 V
每片芯片元件数目 1
最高工作温度 +150 °C
宽度 3.1mm
最低工作温度 -55 °C
长度 4.5mm
高度 1.02mm
典型栅极电荷@Vgs 56 nC @ 10 V
正向二极管电压 1.2V
汽车标准 AEC-Q101
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