| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 4.2 A |
| 最大漏源电压 | 20 V |
| 封装类型 | SOT-23 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 45 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 1V |
| 最大功率耗散 | 800 mW |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -8 V、+8 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 宽度 | 1.4mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 典型栅极电荷@Vgs | 7 nC @ 4.5 V |
| 长度 | 3mm |
| 高度 | 1.1mm |
含税单价￥1.0300
品 牌DiodesZetex
| 参数 | DiodesZetex MOSFET, N沟道, Si, Vds=20 V, 4.2 A, 3引脚 SOT-23封装 |
| 标准包装 | 在毎卷：3000 |
| 数据表 | DMN2075U-7 PDF资料 |
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￥19.3900/件
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￥75.7500/件
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 4.2 A |
| 最大漏源电压 | 20 V |
| 封装类型 | SOT-23 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 45 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 1V |
| 最大功率耗散 | 800 mW |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -8 V、+8 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 宽度 | 1.4mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 典型栅极电荷@Vgs | 7 nC @ 4.5 V |
| 长度 | 3mm |
| 高度 | 1.1mm |
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