| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 15 A |
| 最大漏源电压 | 25 V |
| 封装类型 | PQFN |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 10.9 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大功率耗散 | 3.6 W |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 长度 | 6mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 系列 | HEXFET |
| 宽度 | 5mm |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 典型栅极电荷@Vgs | 7 nC @ 4.5 V |
| 高度 | 0.9mm |
含税单价￥13.1300
品 牌International Rectifier
| 参数 | International Rectifier MOSFET 晶体管, HEXFET 系列, N沟道, Vds=25 V, 15 A, 8引脚 PQFN封装 |
| 标准包装 | 每包:5个 |
| 数据表 | IRFH5255TR2PBF PDF资料 |
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￥6.3200/件
￥5.5700/件
￥0.4800/件
￥88.7600/件
￥5.2700/件
￥0.4100/件
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 15 A |
| 最大漏源电压 | 25 V |
| 封装类型 | PQFN |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 10.9 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大功率耗散 | 3.6 W |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 长度 | 6mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 系列 | HEXFET |
| 宽度 | 5mm |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 典型栅极电荷@Vgs | 7 nC @ 4.5 V |
| 高度 | 0.9mm |
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