| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 12 a 、 18 a |
| 最大漏源电压 | 650 V |
| 封装类型 | TO-220AB |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 0.193 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 5V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 系列 | EF |
含税单价￥32.3900
品 牌Vishay
| 参数 | Vishay MOSFET, EF 系列, N沟道, Vds=650 V, 12 a 、 18 a, 3引脚 TO-220AB封装 |
| 标准包装 | 在毎卷：50 |
| 数据表 | SIHP186N60EF-GE3 PDF资料 |
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￥24.8700/件
￥0.3600/件
￥94.5800/件
￥4.2000/件
￥18.9400/件
￥42.0100/件
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 12 a 、 18 a |
| 最大漏源电压 | 650 V |
| 封装类型 | TO-220AB |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 0.193 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 5V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 系列 | EF |
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