| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 200 mA |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 封装类型 | USM |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 3 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 2.5V |
| 最大功率耗散 | 150 mW |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | Si |
| 长度 | 2mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 宽度 | 1.25mm |
| 高度 | 0.9mm |
| 最低工作温度 | -55 °C |
含税单价￥1.4100
品 牌Toshiba
| 参数 | Toshiba MOSFET, N沟道, Si, Vds=60 V, 200 mA, 3引脚 USM封装 |
| 标准包装 | 每包:25个 |
| 数据表 | SSM3K7002FU(F) PDF资料 |
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￥41.3200/件
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| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 200 mA |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 封装类型 | USM |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 3 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 2.5V |
| 最大功率耗散 | 150 mW |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | Si |
| 长度 | 2mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 宽度 | 1.25mm |
| 高度 | 0.9mm |
| 最低工作温度 | -55 °C |
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