| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 35 A |
| 最大漏源电压 | 600 V |
| 封装类型 | TO-247 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 88 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4V |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大功率耗散 | 255 W |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 宽度 | 5.15mm |
| 高度 | 20.15mm |
| 长度 | 15.75mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 典型栅极电荷@Vgs | 130 nC @ 10 V |
| 系列 | MDmesh |
含税单价￥80.7600
品 牌STMicroelectronics
| 参数 | STMicroelectronics MOSFET 晶体管, MDmesh 系列, N沟道, Vds=600 V, 35 A, 3引脚 TO-247封装 |
| 数据表 | STW43NM60N PDF资料 |
供应商现货库存不足，可定期货，请点击联系客服 |
￥0.4500/件
￥23.9400/件
￥58.3500/件
￥19.7500/件
￥9.0900/件
￥2.2000/件
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 35 A |
| 最大漏源电压 | 600 V |
| 封装类型 | TO-247 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 88 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4V |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大功率耗散 | 255 W |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 宽度 | 5.15mm |
| 高度 | 20.15mm |
| 长度 | 15.75mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 典型栅极电荷@Vgs | 130 nC @ 10 V |
| 系列 | MDmesh |
种类齐全 一站购物
正品保障 源头可溯
极速物流 在线跟踪
优质服务 省心省时
客服企业微信
400-861-9258
