| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 12 A |
| 最大漏源电压 | 1200 V |
| 封装类型 | HiP247 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 0.55 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 3.5V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 系列 | SCTWA10N120 |
| 晶体管材料 | SiC |
含税单价￥152.9600
品 牌STMicroelectronics
| 参数 | STMicroelectronics SiC 电源模块, SCTWA10N120 系列, N沟道, SiC, Vds=1200 V, 12 A, 3引脚 HiP247封装 |
| 数据表 | SCTWA10N120 PDF资料 |
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￥3.2400/件
￥72.3100/件
￥168.1400/件
￥1.3300/件
￥19.5700/件
￥47580.0000/件
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 12 A |
| 最大漏源电压 | 1200 V |
| 封装类型 | HiP247 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 0.55 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 3.5V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 系列 | SCTWA10N120 |
| 晶体管材料 | SiC |
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