| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 22 A |
| 最大漏源电压 | 40 V |
| 封装类型 | PQFN |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 4.3 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4V |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大功率耗散 | 3.6 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 高度 | 0.9mm |
| 宽度 | 5mm |
| 长度 | 6mm |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 典型栅极电荷@Vgs | 43 nC @ 10 V |
含税单价￥16.8500
品 牌Infineon
| 参数 | 英飞凌 Infineon MOSFET 晶体管, N沟道, Vds=40 V, 22 A, 8引脚 PQFN封装 |
| 标准包装 | 每包:2个 |
| 数据表 | IRFH5204TR2PBF PDF资料 |
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￥86.7000/件
￥4.3200/件
￥4.7073/件
￥0.8700/件
￥17.5600/件
￥28.4200/件
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 22 A |
| 最大漏源电压 | 40 V |
| 封装类型 | PQFN |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 4.3 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4V |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大功率耗散 | 3.6 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 高度 | 0.9mm |
| 宽度 | 5mm |
| 长度 | 6mm |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 典型栅极电荷@Vgs | 43 nC @ 10 V |
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