含税单价￥9.1800
品 牌达尔
| 参数 | 达尔 MOSFET, N沟道, Vds=80 V, 100（状态）A，100（稳定）A, 8引脚 PowerDI5060封装 |
| 标准包装 | 在毎卷：2500 |
| 数据表 | DMTH8003SPS-13 PDF资料 |
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￥17.4700/件
￥0.5600/件
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￥51.3100/件
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￥11.6700/件
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 100（状态）A，100（稳定）A |
| 最大漏源电压 | 80 V |
| 封装类型 | PowerDI5060 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 6 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4V |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大功率耗散 | 125 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | ±20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 正向二极管电压 | 1.3V |
| 典型栅极电荷@Vgs | 124.3 nC @ 10V |
| 高度 | 1.05mm |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 宽度 | 4.95mm |
| 长度 | 5.85mm |
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