| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 8.4 A |
| 最大漏源电压 | 600 V |
| 封装类型 | D2PAK (TO-263) |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 0.168. Ω |
| 最大栅阈值电压 | 3 → 5V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 系列 | EF |
含税单价￥29.0400
品 牌Vishay
| 参数 | Vishay MOSFET, EF 系列, N沟道, Vds=600 V, 8.4 A, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装 |
| 数据表 | SiHB186N60EF-GE3 PDF资料 |
供应商现货库存不足，可定期货，请点击联系客服 |
￥4.2000/件
￥9.6100/件
￥0.3300/件
￥12.1500/件
￥7.9100/件
￥0.3800/件
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 8.4 A |
| 最大漏源电压 | 600 V |
| 封装类型 | D2PAK (TO-263) |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 0.168. Ω |
| 最大栅阈值电压 | 3 → 5V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 系列 | EF |
种类齐全 一站购物
正品保障 源头可溯
极速物流 在线跟踪
优质服务 省心省时
客服企业微信
400-861-9258
