含税单价￥4.6878
品 牌Infineon
| 参数 | 英飞凌 Infineon MOSFET, HEXFET 系列, N沟道, Vds=30 V, 100 A, 8引脚 PQFN封装 |
| 标准包装 | 在毎卷：4000 |
| 数据表 | IRFH5302TRPBF PDF资料 |
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￥53.0200/件
￥16.7300/件
￥0.3300/件
￥13.0900/件
￥6.2100/件
￥170.9600/件
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 100 A |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 封装类型 | PQFN |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 3.5 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 2.35V |
| 最小栅阈值电压 | 1.35V |
| 最大功率耗散 | 100 W |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 高度 | 0.85mm |
| 宽度 | 5mm |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 系列 | HEXFET |
| 典型栅极电荷@Vgs | 76 nC @ 15 V |
| 长度 | 6mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 正向二极管电压 | 1V |
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