含税单价￥5.4900
品 牌Infineon
| 参数 | 英飞凌 Infineon MOSFET, HEXFET 系列, N沟道, Si, Vds=30 V, 56 A, 3引脚 DPAK (TO-252)封装 |
| 标准包装 | 每包:20个 |
| 数据表 | IRFR3707ZTRPBF PDF资料 |
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| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 56 A |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 12.5 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 2.25V |
| 最小栅阈值电压 | 1.35V |
| 最大功率耗散 | 50 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 宽度 | 6.22mm |
| 长度 | 6.73mm |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 典型栅极电荷@Vgs | 9.6 nC @ 4.5 V |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 系列 | HEXFET |
| 高度 | 2.39mm |
| 晶体管材料 | Si |
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