| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 100 mA |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 封装类型 | SSMini6 F3 B |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 6 |
| 最大漏源电阻值 | 15 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 1.5V |
| 最大功率耗散 | 125 mW |
| 晶体管配置 | 隔离式 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 2 |
| 晶体管材料 | Si |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 高度 | 0.5mm |
| 系列 | FC |
| 宽度 | 1.2mm |
| 长度 | 1.6mm |
含税单价￥0.7700
品 牌Panasonic
| 参数 | Panasonic MOSFET, FC 系列, N沟道, 双, Si, Vds=60 V, 100 mA, 6引脚 SSMini6 F3 B封装 |
| 标准包装 | 在毎卷：8000 |
| 数据表 | FC6946010R PDF资料 |
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￥1.7500/件
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 100 mA |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 封装类型 | SSMini6 F3 B |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 6 |
| 最大漏源电阻值 | 15 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 1.5V |
| 最大功率耗散 | 125 mW |
| 晶体管配置 | 隔离式 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 2 |
| 晶体管材料 | Si |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 高度 | 0.5mm |
| 系列 | FC |
| 宽度 | 1.2mm |
| 长度 | 1.6mm |
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