| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 电桥类型 | 单相 |
| 峰值平均正向电流 | 8A |
| 峰值反向重复电压 | 200V |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装类型 | KBU |
| 引脚数目 | 4 |
| 二极管技术 | 硅结型 |
| 配置 | 单 |
| 峰值非重复正向浪涌电流 | 200A |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 峰值正向电压 | 1V |
| 峰值反向电流 | 5µA |
| 长度 | 23.7mm |
| 尺寸 | 23.7 x 7.1 x 19.3mm |
| 宽度 | 7.1mm |
| 高度 | 19.3mm |
含税单价￥13.7800
品 牌Taiwan Semiconductor
| 参数 | Taiwan Semiconductor, 单相 整流桥, 8A峰值平均正向电流, 200V峰值反向重复电压, 通孔, 4引脚, KBU封装 |
| 标准包装 | In a Tray of 500 |
| 数据表 | KBU803G T0 PDF资料 |
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￥180.1300/件
￥3.8200/件
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 电桥类型 | 单相 |
| 峰值平均正向电流 | 8A |
| 峰值反向重复电压 | 200V |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装类型 | KBU |
| 引脚数目 | 4 |
| 二极管技术 | 硅结型 |
| 配置 | 单 |
| 峰值非重复正向浪涌电流 | 200A |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 峰值正向电压 | 1V |
| 峰值反向电流 | 5µA |
| 长度 | 23.7mm |
| 尺寸 | 23.7 x 7.1 x 19.3mm |
| 宽度 | 7.1mm |
| 高度 | 19.3mm |
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