| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 80 A |
| 最大漏源电压 | 80 V |
| 封装类型 | TO-220 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 8.4 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4V |
| 最大功率耗散 | 103 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 系列 | TK |
| 典型栅极电荷@Vgs | 37 nC @ 10 V |
| 长度 | 10.16mm |
| 高度 | 15.1mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 晶体管材料 | Si |
| 宽度 | 4.45mm |
含税单价￥11.8600
品 牌Toshiba
| 参数 | Toshiba MOSFET, TK 系列, N沟道, Si, Vds=80 V, 80 A, 3引脚 TO-220封装 |
| 标准包装 | 每包:5个 |
| 数据表 | TK46E08N1 PDF资料 |
| 数量 | +- 库存：60个 交期6-9工作日 |
| 递增 | 起订5 递增倍数5 |
￥32.0400/件
￥3.9800/件
￥145.6300/件
￥6.3800/件
￥30.3200/件
￥11.9500/件
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 80 A |
| 最大漏源电压 | 80 V |
| 封装类型 | TO-220 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 8.4 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4V |
| 最大功率耗散 | 103 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 系列 | TK |
| 典型栅极电荷@Vgs | 37 nC @ 10 V |
| 长度 | 10.16mm |
| 高度 | 15.1mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 晶体管材料 | Si |
| 宽度 | 4.45mm |
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