含税单价￥10.5000
品 牌Infineon
| 参数 | 英飞凌 Infineon MOSFET, HEXFET 系列, P沟道, Si, Vds=30 V, 16 A, 8引脚 SOIC封装 |
| 标准包装 | 每包:20个 |
| 数据表 | IRF9317TRPBF PDF资料 |
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￥11.9500/件
￥4.0000/件
￥1.5500/件
￥30.0700/件
￥9.8100/件
￥6.5637/件
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | P |
| 最大连续漏极电流 | 16 A |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 封装类型 | SOIC |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 10.2 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 2.4V |
| 最小栅阈值电压 | 1.3V |
| 最大功率耗散 | 2.5 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 系列 | HEXFET |
| 高度 | 1.5mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 长度 | 5mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 31 nC @ 4.5 V，61 nC @ 10 V |
| 宽度 | 4mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
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