含税单价￥24.3500
品 牌Infineon
| 参数 | 英飞凌 Infineon MOSFET, OptiMOS 3 系列, N沟道, Si, Vds=40 V, 180 A, 7引脚 D2PAK (TO-263)封装 |
| 标准包装 | 在毎卷：1000 |
| 数据表 | IPB011N04NGATMA1 PDF资料 |
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| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 180 A |
| 最大漏源电压 | 40 V |
| 封装类型 | D2PAK (TO-263) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 7 |
| 最大漏源电阻值 | 1.1 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大功率耗散 | 250 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 188 nC @ 10 V |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 晶体管材料 | Si |
| 长度 | 10.31mm |
| 高度 | 4.57mm |
| 宽度 | 9.45mm |
| 系列 | OptiMOS 3 |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 正向二极管电压 | 1.2V |
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