| DIODES INCORPORATED | ||
| N-MOSFET | ||
| 单极 | ||
| 60V | ||
| 0.21A | ||
| 0.54W | ||
| SOT23 | ||
| ±20V | ||
| 4Ω | ||
| SMD | ||
| 卷, 胶带 | ||
| 增强 | ||
| ESD protected gate |
含税单价￥0.8400
品 牌DIODES INCORPORATED
| 参数 | 晶体管: N-MOSFET; 单极; 60V; 0.21A; 0.54W; SOT23; 特性: ESD protected gate |
| 数据表 | DMN65D8L-7 PDF资料 |
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￥33.1900/件
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| DIODES INCORPORATED | ||
| N-MOSFET | ||
| 单极 | ||
| 60V | ||
| 0.21A | ||
| 0.54W | ||
| SOT23 | ||
| ±20V | ||
| 4Ω | ||
| SMD | ||
| 卷, 胶带 | ||
| 增强 | ||
| ESD protected gate |
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