| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 21 A |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 封装类型 | SO-8 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 0.0035. Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 2.35V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 系列 | HEXFET |
| 晶体管材料 | Si |
含税单价￥6.0300
品 牌Infineon
| 参数 | 英飞凌 Infineon MOSFET, HEXFET 系列, N沟道, Si, Vds=30 V, 21 A, 8引脚 SO-8封装 |
| 标准包装 | 在毎卷：4000 |
| 数据表 | IRF8734TRPBF PDF资料 |
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￥4.7100/件
￥42994.1500/件
￥15.0000/件
￥23368.8000/件
￥18.3100/件
￥7.6400/件
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 21 A |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 封装类型 | SO-8 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 0.0035. Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 2.35V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 系列 | HEXFET |
| 晶体管材料 | Si |
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