| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 25 A |
| 最大漏源电压 | 1200 V |
| 封装类型 | Ag-ag-ag2e-2 EASY2BM |
| 安装类型 | 面板安装 |
| 最大漏源电阻值 | 0.066 Ω |
| 最大栅阈值电压 | 20V |
| 每片芯片元件数目 | 12 |
| 系列 | CoolSiC |
含税单价￥1377.9000
品 牌Infineon
| 参数 | 英飞凌 Infineon MOSFET 模块, CoolSiC 系列, N沟道, 12, Vds=1200 V, 25 A ag-ag-ag2e-2 EASY2BM封装 |
| 标准包装 | In a Tray of 24 |
| 数据表 | FS45MR12W1M1B11BOMA1 PDF资料 |
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￥62.2900/件
￥1212.5100/件
￥7.5200/件
￥11.0800/件
￥4.1400/件
￥6.4600/件
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 25 A |
| 最大漏源电压 | 1200 V |
| 封装类型 | Ag-ag-ag2e-2 EASY2BM |
| 安装类型 | 面板安装 |
| 最大漏源电阻值 | 0.066 Ω |
| 最大栅阈值电压 | 20V |
| 每片芯片元件数目 | 12 |
| 系列 | CoolSiC |
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