15N10

场效应管(MOSFET)封装：TO-252类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：10A 功率(Pd)：15W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：131mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA 工作温度：-55 To 175℃@(Tj)