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MMBT3904T
KUU(永裕泰)
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):40V 集电极电流(Ic):200mA 功率(Pd):150mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V 封装:1107
最小包: 3000
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MMBT3904W
KUU(永裕泰)
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):40V 集电极电流(Ic):200mA 功率(Pd):200mW 封装:1100
最小包: 3000
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MMST3906
KUU(永裕泰)
晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):40V 集电极电流(Ic):200mA 功率(Pd):200mW 封装:1096
最小包: 3000
起订量: 3000
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MMBD4148CC
KUU(永裕泰)
二极管配置:1对共阴极 功率:350mW 直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):1V@10mA 反向恢复时间(trr):4ns 封装:1057
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MMBTA92
KUU(永裕泰)
晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):300V 集电极电流(Ic):200mA 功率(Pd):300mW 封装:1046
最小包: 3000
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MMBTA42
KUU(永裕泰)
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):300V 集电极电流(Ic):500mA 功率(Pd):350mW 封装:1045
最小包: 3000
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MMBT5551
KUU(永裕泰)
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):160V 集电极电流(Ic):600mA 功率(Pd):300mW 封装:1044
最小包: 3000
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MMBT5401
KUU(永裕泰)
晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):150V 集电极电流(Ic):600mA 功率(Pd):300mW 封装:1043
最小包: 3000
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MMBT4403
KUU(永裕泰)
晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):40V 集电极电流(Ic):600mA 功率(Pd):300mW 封装:1042
最小包: 3000
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MMBT4401
KUU(永裕泰)
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):40V 集电极电流(Ic):600mA 功率(Pd):300mW 封装:1041
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MMBT3906
KUU(永裕泰)
晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):40V 集电极电流(Ic):200mA 功率(Pd):300mW 封装:1040
最小包: 3000
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MMBT3904
KUU(永裕泰)
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):40V 集电极电流(Ic):200mA 功率(Pd):200mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@100mA,1V 封装:1039
最小包: 3000
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MMBT2907
KUU(永裕泰)
晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):60V 集电极电流(Ic):600mA 功率(Pd):225mW 封装:1038
最小包: 3000
起订量: 3000
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MMBT2222
KUU(永裕泰)
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):40V 集电极电流(Ic):600mA 功率(Pd):300mW 封装:1037
最小包: 3000
起订量: 3000
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MMBD4148SE
KUU(永裕泰)
功率:350mW 直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):1V@10mA 反向恢复时间(trr):4ns 封装:1017
最小包: 3000
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¥0.0367
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MMBD4148CA
KUU(永裕泰)
功率:350mW 直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):1V@10mA 反向恢复时间(trr):4ns 封装:1016
最小包: 3000
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MMBD4148A
KUU(永裕泰)
功率:350mW 直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):1V@10mA 反向恢复时间(trr):4ns 封装:1015
最小包: 3000
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MMBZ27VA
KUU(永裕泰)
反向截止电压(Vrwm):22V 击穿电压(最小值):25.65V 峰值脉冲电流(Ipp)@tp=8/20μs:1A 最大钳位电压:40V 封装:1003
最小包: 3000
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MCR100-8
KUU(永裕泰)
A1档15-30 耐压600V,单向可控硅。Igt=200(uA) 封装:0991
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MCR100-6
KUU(永裕泰)
A1档15-30 耐压400V,单向可控硅。Igt=200(uA) 封装:0990
最小包: 3000
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