河北小漫电子经销VBsemi(微碧半导体)全系列产品，今日到货SI2308DS-T1-GE3-VB 6000只，欢迎前来咨询！
SI2308DS-T1-GE3-VB基本参数：
| 属性 | 参数值 |
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
| 类型 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 3.1A |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 85mΩ@10V,1.9A |
| 功率(Pd) | 1.66W |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
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SI2308DS-T1-GE3-VB基本参数：
| 属性 | 参数值 |
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
| 类型 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 3.1A |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 85mΩ@10V,1.9A |
| 功率(Pd) | 1.66W |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
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